1ZPLAY-csgo比分

首页 > 新闻动态 > 新闻中心 > 科锐与Nexperia签订GaN功率器件专利授权和谈

新闻动态

文章不存在或已删除
科锐与Nexperia签订GaN功率器件专利授权和谈
文章来源:1ZPLAY  作者:1ZPLAY  发布日期:2020-03-01  浏览次数:490
科锐与Nexperia签订GaN功率器件专利授权和谈

  科锐公布与荷兰Nexperia公司签订非排他性、全球性的付费专利许可和谈。经由过程这一和谈,Nexperia将有权利用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包罗了跨越300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁徙率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多立异。这一专利组合针对新型器件布局、材料和工艺晋升,和封装手艺。这一专利授权不包罗手艺让渡。

  科锐结合开创人兼Wolfspeed首席手艺官John Palmour暗示:“科锐创建以来,对包罗GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深切研究,并操纵它们的怪异机能开辟出新型器件。基在科锐数十年立异功效的器件,帮忙实现新型电源治理和无线系统的市场导入。为了加快这类新市场的增加,科锐正在对用在GaN氮化镓电源治理系统的GaN氮化镓功率器件专利展开授权。”


上一篇:约50企对GE残剩照明营业感爱好,木林森除外 下一篇:LED照明设计中利用T型样条的自由曲面光学优化